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UTM4953G-SO8-R

商品型号： UTM4953G-SO8-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOP-8_150mil

商品毛重： 0.22g

商品编号： CY881416

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道双P沟 30 4.9A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道双P沟 30 4.9A

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UTM4953G-SO8-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UTM4953G-SO8-R价格参考￥1.215800。3PEAKUTM4953G-SO8-R封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道双P沟 30 4.9A

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