商品型号： KIA4N65HU
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.59g
商品编号： CY859422
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，3A
数量
价格
1+
￥4.3819
10+
￥4.32
30+
￥4.2581
100+
￥4.1962
500+
￥4.1308
1000+
￥4.0654
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￥38.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA4N65HU由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA4N65HU价格参考￥4.381900。KIA 半导体KIA4N65HU封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，3A
手机版：KIA4N65HU
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