商品型号： VBC6P3033
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TSSOP8
商品毛重： 2.00g
商品编号： CY166452
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：双P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
VBC6P3033由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBC6P3033价格参考￥7.492000。VBsemi(台湾微碧)VBC6P3033封装/规格：TSSOP8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：双P沟道
手机版：VBC6P3033
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