商品型号： FDFS2P753Z
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SOIC-8
商品毛重： 0.13g
商品编号： CY022876
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.6W | |
| 类型 | P沟道 |
FDFS2P753Z由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDFS2P753Z价格参考￥4.513300。ON(安森美)FDFS2P753Z封装/规格：SOIC-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：P沟道
手机版：FDFS2P753Z
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