商品型号： PTF7N65
制造厂商： PUOLOP(迪浦)
封装规格： TO220F
商品毛重： 2.40g
商品编号： CY836399
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tj) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.5813
10+
￥9.4865
30+
￥9.3892
100+
￥9.2919
500+
￥9.1946
1000+
￥9.0973
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
PTF7N65由PUOLOP(迪浦)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTF7N65价格参考￥9.581300。PUOLOP(迪浦)PTF7N65封装/规格：TO220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tj) 类型：N沟道
手机版：PTF7N65
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