商品型号： BSS192,115
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： SOT89
商品毛重： 0.08g
商品编号： CY071291
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-240V 栅源极阈值电压：2.8V @ 1mA 漏源导通电阻：12Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：560mW 类型：P沟道 MOSFET P-CH
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA | |
| 类型 | P沟道 |
BSS192,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS192,115价格参考￥8.000400。Nexperia(安世)BSS192,115封装/规格：SOT89,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-240V 栅源极阈值电压：2.8V @ 1mA 漏源导通电阻：12Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：560mW 类型：P沟道 MOSFET P-CH
手机版：BSS192,115
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