商品型号： LND06R062
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220MF
商品毛重： 2.93g
商品编号： CY482215
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.0522
10+
￥3.0441
30+
￥3.036
100+
￥3.0279
500+
￥3.0198
1000+
￥3.0099
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
LND06R062由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND06R062价格参考￥3.052200。LONTEN(龙腾半导体)LND06R062封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LND06R062
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