商品型号： KNE6303A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： SOP-8
商品毛重： 0.11g
商品编号： CY139703
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | N沟道 |
KNE6303A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNE6303A价格参考￥1.230700。KIA 半导体KNE6303A封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
手机版：KNE6303A
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