商品型号： LND4N80
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.48g
商品编号： CY802950
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.2955
10+
￥5.2473
30+
￥5.1991
100+
￥5.1509
500+
￥5.1006
1000+
￥5.0503
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 类型 | N沟道 |
LND4N80由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND4N80价格参考￥5.295500。LONTEN(龙腾半导体)LND4N80封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LND4N80
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