商品型号： CEF02N6G
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.42g
商品编号： CY293642
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W 类型：N沟道 N沟道,600V,2.2A
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价格
1+
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￥1.3231
100+
￥1.2429
500+
￥1.1627
1000+
￥1.0825
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￥38.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
CEF02N6G由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEF02N6G价格参考￥1.483500。CET(华瑞)CEF02N6G封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W 类型：N沟道 N沟道,600V,2.2A
手机版：CEF02N6G
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