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BSZ130N03MS G

商品型号： BSZ130N03MS G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSDSON-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY641305

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,30V,9A,4.5mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	9A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,30V,9A,4.5mΩ@10V

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BSZ130N03MS G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSZ130N03MS G价格参考￥7.540200。Infineon(英飞凌)BSZ130N03MS G封装/规格：PG-TSDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,30V,9A,4.5mΩ@10V

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