商品型号： CS4N60FA9HD
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.82g
商品编号： CY203805
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V.4A
数量
价格
1+
￥4.075
10+
￥4.063
30+
￥4.051
100+
￥4.039
500+
￥4.027
1000+
￥4.015
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￥38.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
CS4N60FA9HD由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS4N60FA9HD价格参考￥4.075000。华润华晶CS4N60FA9HD封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V.4A
手机版：CS4N60FA9HD
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