商品型号： LND04R035B
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220MF
商品毛重： 2.95g
商品编号： CY492616
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.2006
10+
￥9.1677
30+
￥9.1348
100+
￥9.1019
500+
￥9.069
1000+
￥9.0345
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
LND04R035B由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND04R035B价格参考￥9.200600。LONTEN(龙腾半导体)LND04R035B封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LND04R035B
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