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RU190N08S

商品型号： RU190N08S

制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.15g

商品编号： CY411239

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，80V，190A，3.9mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，80V，190A，3.9mΩ@10V

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RU190N08S由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU190N08S价格参考￥9.219000。Ruichips(锐骏半导体)RU190N08S封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，80V，190A，3.9mΩ@10V

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