商品型号： LSF65R380GF
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-262
商品毛重： 2.25g
商品编号： CY043255
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mA @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.365
10+
￥1.3046
30+
￥1.2442
100+
￥1.1838
500+
￥1.1234
1000+
￥1.063
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￥38.00
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￥15.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
LSF65R380GF由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSF65R380GF价格参考￥1.365000。LONTEN(龙腾半导体)LSF65R380GF封装/规格：TO-262,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mA @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSF65R380GF
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