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LSF65R380GT

商品型号： LSF65R380GT

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-262

商品毛重： 2.30g

商品编号： CY108126

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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LSF65R380GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSF65R380GT价格参考￥9.385500。LONTEN(龙腾半导体)LSF65R380GT封装/规格：TO-262,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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