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PTA16N60

商品型号： PTA16N60

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.95g

商品编号： CY259365

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,0.41?@10V,16A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,0.41?@10V,16A

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PTA16N60由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA16N60价格参考￥9.297600。PIP(丽隽)PTA16N60封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,0.41?@10V,16A

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