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PJQ1900

商品型号： PJQ1900_R1_00001

制造厂商： 3PEAK

封装规格： DFN-3L

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY119546

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 20mA,1.2V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.2A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 20mA,1.2V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道

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手机版：PJQ1900_R1_00001