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ZXMC3A17DN8TA

商品型号： ZXMC3A17DN8TA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.39g

商品编号： CY750763

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A,3.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道和P沟道 N和P沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A,3.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道和P沟道 N和P沟道

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ZXMC3A17DN8TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMC3A17DN8TA价格参考￥2.131200。DIODES(美台)ZXMC3A17DN8TA封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A,3.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道和P沟道 N和P沟道

手机版：ZXMC3A17DN8TA