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CEP9060N

商品型号: CEP9060N

制造厂商: CET(华瑞)

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 1.31g

商品编号: CY906666

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 62A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,55V,90A,10.5mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 62A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,55V,90A,10.5mΩ@10V

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CEP9060N由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEP9060N价格参考¥2.590800。CET(华瑞)CEP9060N封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 62A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,55V,90A,10.5mΩ@10V

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