商品型号： FHF10N65B
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 1.73g
商品编号： CY705842
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.4278
10+
￥4.3585
30+
￥4.2892
100+
￥4.2169
500+
￥4.1446
1000+
￥4.0723
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FHF10N65B由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHF10N65B价格参考￥4.427800。FeiHong(飞虹)FHF10N65B封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHF10N65B
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