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LN2312LT1G

商品型号: LN2312LT1G

制造厂商: LRC(乐山无线电)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY764230

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
最大功率耗散(Ta=25°C) 750mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

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LN2312LT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LN2312LT1G价格参考¥6.035400。LRC(乐山无线电)LN2312LT1G封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

手机版:LN2312LT1G