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IRLU3110ZPBF

商品型号： IRLU3110ZPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.60g

商品编号： CY131416

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 100uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,63A,14mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 100uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,63A,14mΩ@10V

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IRLU3110ZPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLU3110ZPBF价格参考￥3.246400。Infineon(英飞凌)IRLU3110ZPBF封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 100uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,63A,14mΩ@10V

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