商品型号： LSE80R350GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 1.58g
商品编号： CY465833
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.3717
10+
￥8.3113
30+
￥8.2509
100+
￥8.1905
500+
￥8.127
1000+
￥8.0635
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LSE80R350GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSE80R350GT价格参考￥8.371700。LONTEN(龙腾半导体)LSE80R350GT封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：LSE80R350GT
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