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LND16N65

商品型号： LND16N65

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 0.00g

商品编号： CY407488

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tc) 类型：N沟道

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LND16N65由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND16N65价格参考￥8.452600。LONTEN(龙腾半导体)LND16N65封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tc) 类型：N沟道

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