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MTC6601N6

商品型号: MTC6601N6

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-26

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY079499

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A,2.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.14W 类型:N沟道和P沟道 30V,-30V/3.7A,-2.7A/ N+P

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道和P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A,2.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.14W 类型:N沟道和P沟道 30V,-30V/3.7A,-2.7A/ N+P

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MTC6601N6由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTC6601N6价格参考¥6.369000。3PEAKMTC6601N6封装/规格:SOT-26,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A,2.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.14W 类型:N沟道和P沟道 30V,-30V/3.7A,-2.7A/ N+P

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