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CSD25481F4T

商品型号： CSD25481F4T

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： PicosTAR-3

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY089495

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：88mΩ @ 500mA,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD25481F4 P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：88mΩ @ 500mA,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD25481F4 P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4

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CSD25481F4T由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD25481F4T价格参考￥5.369200。TI(德州仪器)CSD25481F4T封装/规格：PicosTAR-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：88mΩ @ 500mA,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD25481F4 P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4

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