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IRF610STRLPBF

商品型号： IRF610STRLPBF

制造厂商： VISHAY(威世)

封装规格： TO-263-3

商品毛重： 1.66g

商品编号： CY738155

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
最大功率耗散（Ta=25°C）	3W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道

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IRF610STRLPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF610STRLPBF价格参考￥9.031400。VISHAY(威世)IRF610STRLPBF封装/规格：TO-263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道

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