商品型号： KNB3208A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.64g
商品编号： CY722398
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3698
10+
￥9.309
30+
￥9.2472
100+
￥9.1854
500+
￥9.1236
1000+
￥9.0618
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 85V | |
| 类型 | N沟道 |
KNB3208A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNB3208A价格参考￥9.369800。KIA 半导体KNB3208A封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道
手机版：KNB3208A
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