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HSBA3058

商品型号: HSBA3058

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: PRPAK5*6

商品毛重: 0.14g

商品编号: CY879244

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥8.41

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 30A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道

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HSBA3058由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBA3058价格参考¥8.405400。HUASHUO(华朔)HSBA3058封装/规格:PRPAK5*6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道

手机版:HSBA3058