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LNH045R090

商品型号： LNH045R090

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-251

商品毛重： 0.70g

商品编号： CY197865

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	45V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

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LNH045R090由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNH045R090价格参考￥4.540400。LONTEN(龙腾半导体)LNH045R090封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

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