商品型号： LND7N60D
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.34g
商品编号： CY903413
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.2583
10+
￥6.2166
30+
￥6.1749
100+
￥6.1332
500+
￥6.0888
1000+
￥6.0444
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 类型 | N沟道 |
LND7N60D由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND7N60D价格参考￥6.258300。LONTEN(龙腾半导体)LND7N60D封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
手机版：LND7N60D
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