商品型号： TN0604N3-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.60g
商品编号： CY845436
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.6V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：740mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
TN0604N3-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,TN0604N3-G价格参考￥7.044800。MICROCHIP(美国微芯)TN0604N3-G封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.6V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：740mW 类型：N沟道
手机版：TN0604N3-G
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