商品型号： LSE65R180HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 1.57g
商品编号： CY192782
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.0916
10+
￥4.0775
30+
￥4.0634
100+
￥4.0493
500+
￥4.0352
1000+
￥4.0176
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LSE65R180HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSE65R180HT价格参考￥4.091600。LONTEN(龙腾半导体)LSE65R180HT封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：LSE65R180HT
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