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IRFD9110PBF

商品型号： IRFD9110PBF

制造厂商： VISHAY(威世)

封装规格： HVMDIP

商品毛重： 0.56g

商品编号： CY193547

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 420mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-0.7A,1.2Ω@-10V

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	700mA
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 420mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-0.7A,1.2Ω@-10V

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IRFD9110PBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFD9110PBF价格参考￥6.065000。VISHAY(威世)IRFD9110PBF封装/规格：HVMDIP,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 420mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-0.7A,1.2Ω@-10V

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