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DMN1019USN-13

商品型号： DMN1019USN-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SC-59

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY793719

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.3A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 9.7A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：680mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	12V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.3A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 9.7A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：680mW 类型：N沟道

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DMN1019USN-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN1019USN-13价格参考￥5.197100。DIODES(美台)DMN1019USN-13封装/规格：SC-59,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.3A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 9.7A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：680mW 类型：N沟道

手机版：DMN1019USN-13