商品型号： VBFB16R04
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO251
商品毛重： 0.61g
商品编号： CY850158
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.4236
10+
￥9.3537
30+
￥9.2838
100+
￥9.2139
500+
￥9.144
1000+
￥9.072
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
VBFB16R04由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBFB16R04价格参考￥9.423600。VBsemi(台湾微碧)VBFB16R04封装/规格：TO251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道
手机版：VBFB16R04
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