商品型号： HSD6004
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.82g
商品编号： CY998679
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W 类型：N沟道
数量
价格
5+
￥7.5736
50+
￥7.4798
150+
￥7.386
500+
￥7.2895
2500+
￥7.193
5000+
￥7.0965
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
HSD6004由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSD6004价格参考￥7.573600。HUASHUO(华朔)HSD6004封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W 类型：N沟道
手机版：HSD6004
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