商品型号： LSH65R1K5HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.69g
商品编号： CY916715
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.5322
10+
￥7.4448
30+
￥7.3574
100+
￥7.27
500+
￥7.18
1000+
￥7.09
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
LSH65R1K5HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSH65R1K5HT价格参考￥7.532200。LONTEN(龙腾半导体)LSH65R1K5HT封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSH65R1K5HT
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监