商品型号: LSH80R980GT
制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)
封装规格: TO-251
商品毛重: 0.68g
商品编号: CY796557
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:980mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥1.5711
10+
¥1.4765
30+
¥1.3819
100+
¥1.2873
500+
¥1.1927
1000+
¥1.0981
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
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封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | - | |
类型 | N沟道 |
LSH80R980GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSH80R980GT价格参考¥1.571100。LONTEN(龙腾半导体)LSH80R980GT封装/规格:TO-251,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:980mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
手机版:LSH80R980GT
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