商品型号： KNB2910A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.44g
商品编号： CY972063
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,70V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，130A
数量
价格
1+
￥3.3618
10+
￥3.3024
30+
￥3.243
100+
￥3.1836
500+
￥3.1242
1000+
￥3.0621
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
KNB2910A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNB2910A价格参考￥3.361800。KIA 半导体KNB2910A封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,70V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，130A
手机版：KNB2910A
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