IPD30N06S215ATMA2

商品型号： IPD30N06S215ATMA2

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY031115

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：14.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,55V,30A,14.7mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：14.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,55V,30A,14.7mΩ@10V

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IPD30N06S215ATMA2由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD30N06S215ATMA2价格参考￥1.029600。Infineon(英飞凌)IPD30N06S215ATMA2封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：14.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,55V,30A,14.7mΩ@10V

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