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RU40120S

商品型号： RU40120S

制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.15g

商品编号： CY180192

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，40V，120A，3.5mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，40V，120A，3.5mΩ@10V

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RU40120S由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU40120S价格参考￥6.203400。Ruichips(锐骏半导体)RU40120S封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，40V，120A，3.5mΩ@10V

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