商品型号： HY3208AP
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-220FB-3L
商品毛重： 2.86g
商品编号： CY080765
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.3638
10+
￥4.3045
30+
￥4.2452
100+
￥4.1839
500+
￥4.1226
1000+
￥4.0613
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
HY3208AP由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY3208AP价格参考￥4.363800。HUAYI(华羿微)HY3208AP封装/规格：TO-220FB-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY3208AP
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