商品型号: FCPF360N65S3R0L
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-220F
商品毛重: 1.90g
商品编号: CY935824
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1mA 漏源导通电阻:360mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥4.4912
10+
¥4.4113
30+
¥4.3314
100+
¥4.2515
500+
¥4.169
1000+
¥4.0865
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
FCPF360N65S3R0L由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCPF360N65S3R0L价格参考¥4.491200。ON(安森美)FCPF360N65S3R0L封装/规格:TO-220F,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1mA 漏源导通电阻:360mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道
手机版:FCPF360N65S3R0L
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