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IRFH8202TRPBF

商品型号： IRFH8202TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PQFN 5X6

商品毛重： 4.00g

商品编号： CY589191

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：47A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.35V @ 150uA 漏源导通电阻：1.05mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道,25V,100A,1.05mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	25V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：47A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.35V @ 150uA 漏源导通电阻：1.05mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道,25V,100A,1.05mΩ@10V

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IRFH8202TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFH8202TRPBF价格参考￥8.434300。Infineon(英飞凌)IRFH8202TRPBF封装/规格：PQFN 5X6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：47A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.35V @ 150uA 漏源导通电阻：1.05mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道,25V,100A,1.05mΩ@10V

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