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IPN80R900P7ATMA1

商品型号: IPN80R900P7ATMA1

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-SOT223

商品毛重: 0.18g

商品编号: CY578677

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.5V @ 110uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):7W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,10V,6A,900mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 800V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.5V @ 110uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):7W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,10V,6A,900mΩ@10V

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IPN80R900P7ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPN80R900P7ATMA1价格参考¥9.082400。Infineon(英飞凌)IPN80R900P7ATMA1封装/规格:PG-SOT223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.5V @ 110uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):7W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,10V,6A,900mΩ@10V

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