商品型号： CS1N60A4H
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY366383
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
CS1N60A4H由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS1N60A4H价格参考￥6.202300。华润华晶CS1N60A4H封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
手机版：CS1N60A4H
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