商品型号： VBE1101M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO252
商品毛重： 2.42g
商品编号： CY282176
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：114mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | |
| 类型 | N沟道 |
VBE1101M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE1101M价格参考￥9.243400。VBsemi(台湾微碧)VBE1101M封装/规格：TO252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：114mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
手机版：VBE1101M
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