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JCS4N65FB-220MF

商品型号： JCS4N65FB-220MF

制造厂商：吉林华微

封装规格： TO-220MF

商品毛重： 3.16g

商品编号： CY478998

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51.7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 4A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51.7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 4A

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JCS4N65FB-220MF由吉林华微设计生产,在芯云购商城现货销售,JCS4N65FB-220MF价格参考￥5.465200。吉林华微JCS4N65FB-220MF封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51.7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 4A

手机版：JCS4N65FB-220MF